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IPP041N04N G

N 沟道功率 MOSFET

OptiMOS™ 40V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选,例如服务器和台式机。此外,这些器件可用于电机控制变器和快速开关直流-直流转换器等广泛工业应用。\n   • 出色的栅极电荷 x R DS(on)产品(FOM)\n• 极低的导通电阻 R DS(on)\n• 快速开关应用的理想之选\n• 符合 RoHS - 无卤素\n• MSL1 评级\n\n优势:\n• 高系统效率\n• 减少所需的并联\n• 增加功率密度\n• 降低系统成本\n• 非常低的电压过冲\n \n  ;

Infineon

英飞凌

IPP041N04NG

OptiMOS?? Power-Transistor

文件:287.15 Kbytes 页数:10 Pages

Infineon

英飞凌

IIPP041N04N

N-Channel MOSFET Transistor

文件:339.07 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IPA041N04N

Isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:260.839 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IPA041N04NG

Optimized technology for DC/DC converters

文件:1.36992 Mbytes 页数:12 Pages

Infineon

英飞凌

技术参数

  • OPN:

    IPP041N04NGXKSA1

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    PG-TO220-3

  • VDS max:

    40 V

  • RDS (on) @10V max:

    4.1 mΩ

  • ID @25°C max:

    80 A

  • QG typ @10V:

    42 nC

  • Polarity:

    N

  • Operating Temperature min:

    -55 °C

  • Operating Temperature max:

    175 °C

  • VGS(th) min:

    2 V

  • VGS(th) max:

    4 V

  • Technology:

    OptiMOS™ 3

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更多IPP041N04N G供应商 更新时间2025-11-18 11:10:00