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IPP028N08N3 G

N 沟道功率 MOSFET

OptiMOS™ 系列是高效率解决方案的市场领导者,适用于发电(例如太阳能微逆变器)、电源(例如服务器和通信)以及功耗(例如电动车)领域。 • 优化直流-直流转换器技术\n• 出色的栅极电荷 x R DS(ON) 产品 (FOM)\n• 出色的耐热性\n• 双面冷却\n• 寄生电感低\n• 纤薄外形 (<0.7mm)\n• N通道,正常电平\n• 100% 经过雪崩测试\n• 无铅镀层;符合 RoHS\n\n\n优势:;

Infineon

英飞凌

IPP028N08N3G

OptiMOS짰3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

文件:463.34 Kbytes 页数:10 Pages

Infineon

英飞凌

IPP030N10N3G

TO-220

Infineon

英飞凌

上传:深圳市壹芯创科技有限公司

IPP032N06N3G

TO220-3

Infineon

英飞凌

上传:深圳市凌旭科技有限公司

IPP032N06N3G

TO-252

INFINEON/英飞凌

上传:深圳市赛特兴科技有限公司

INFINEON/英飞凌

技术参数

  • OPN:

    IPP028N08N3GXKSA1

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    PG-TO220-3

  • VDS max:

    80 V

  • RDS (on) @10V max:

    2.8 mΩ

  • ID @25°C max:

    100 A

  • QG typ @10V:

    155 nC

  • Polarity:

    N

  • Operating Temperature min:

    -55 °C

  • Operating Temperature max:

    175 °C

  • Technology:

    OptiMOS™ 3

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更多IPP028N08供应商 更新时间2025-11-25 16:32:00