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IPP023NE7N3

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:337.96 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IPP023NE7N3G

OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

文件:466.24 Kbytes 页数:10 Pages

Infineon

英飞凌

IPP023NE7N3G

N-channel, normal level

文件:834.92 Kbytes 页数:10 Pages

Infineon

英飞凌

IPP023NE7N3G_15

N-channel, normal level

文件:834.92 Kbytes 页数:10 Pages

Infineon

英飞凌

IPP023NE7N3 G

N 沟道功率 MOSFET

75V OptiMOS™技术专注于同步整流应用。基于领先的80V技术,这些75V产品同时具有极低的导通电阻和出色的开关性能。 • 针对同步整流进行技术优化\n• 优异的开关性能\n• 世界较低的 (RDs(on))\n• 极低的 Qg 和 Qgd\n• 出色的栅极电荷 x R DS(on)产品(FOM)\n• 符合 RohS - 无卤素\n• MSL3 评级\n\n优势:\n• 环保\n• 提高效率\n• 极高的功率密度\n• 减少所需的并联\n• 极低的板空间消耗\n• 产品易于设计;

Infineon

英飞凌

技术参数

  • OPN:

    IPP023NE7N3GXKSA1

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    PG-TO220-3

  • VDS max:

    75 V

  • RDS (on) @10V max:

    2.3 mΩ

  • ID @25°C max:

    120 A

  • QG typ @10V:

    155 nC

  • Polarity:

    N

  • Operating Temperature min:

    -55 °C

  • Operating Temperature max:

    175 °C

  • Technology:

    OptiMOS™ 3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON
19+
TO220
18974
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Infineon(英飞凌)
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标准封装
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标准封装
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原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
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Infineon(英飞凌)
23+
标准封装
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更多IPP023NE7N3供应商 更新时间2025-12-14 16:04:00