N-channel, normal level

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INFINEON

英飞凌

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 100 V，采用 TO-220 封装

OptiMOS™ 5 100V 功率 MOSFETs 专为通信和服务器电源中的同步整流而设计。此外，这些器件还可以在其他工业应用中使用，例如太阳能、低压驱动器和适配器。新型 OptiMOS™ 5 100V MOSFET 采用七种不同封装，提供了行业内较低 R DS(on)。 • 针对同步整流进行优化\n• 非常适合高开关频率\n• 输出电容降低高达 44%\n• 与前一代相比降低高达 43%\n\n优势:\n• 高系统效率\n• 降低开关和通态损耗\n• 减少并联\n• 增加功率密度\n• 低电压过冲;

Infineon

英飞凌

TO-220 MOS FETs 场效应管

GSME

桂微