OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 80V，适用于电信应用

OptiMOS™ 5 80V 功率 MOSFETs 专为通信和服务器电源中的同步整流而设计。此外，这些器件还可以在其他工业应用中使用，例如太阳能、低压驱动器和适配器。新型OptiMOS™ 5 80V MOSFET 采用七种不同封装，提供了行业内较低 R DS(on)。 • 针对同步整流进行优化\n• 非常适合高开关频率\n• 输出电容降低高达 44%\n• R DS(on)降低高达 44%\n\n优势:\n• 高系统效率\n• 降低开关和通态损耗\n• 减少并联\n• 增加功率密度\n• 低电压过冲;

Infineon

英飞凌

Ideal for high frequency switching and sync. rec

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Infineon

英飞凌

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=242A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=75V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2.35mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c

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ISC

无锡固电

N-Channel PowerTrench MOSFET

文件：644.02 Kbytes 页数：10 Pages

Fairchild

仙童半导体