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IPN80R3K3P7	文件：1.04548 Mbytes Page：13 Pages	丝印：80R3K3；Package：PG-SOT223；800V CoolMOS짧 P7 Power Transistor 文件：1.04548 Mbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPN80R3K3P7	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power-800V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon
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技术参数

OPN：
IPN80R3K3P7ATMA1
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
PG-SOT223-3
VDS max：
800 V
RDS (on) @10V max：
3300 mΩ
ID @25°C max：
1.9 A
QG typ @10V：
5.8 nC
Special Features：
price/performance
Polarity：
N
Operating Temperature min：
-55 °C
Operating Temperature max：
150 °C
VGS(th) min：
2.5 V
VGS(th) max：
3.5 V
Technology：
CoolMOS™ P7

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更多IPN80R3K3P7供应商更新时间2025-12-11 16:12:00

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