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IPI50R299CP中文资料500 V-950 V CoolMOS™ N 沟道功率 MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPI50R299CP

功能描述

500 V-950 V CoolMOS™ N 沟道功率 MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 12:01:00

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IPI50R299CP规格书详情

描述 Description

CoolMOS™ CP 是英飞凌第五个 CoolMOS™ 系列产品,专门设计用于 ATX、笔记本适配器 PDP 和 LCD 电视的软硬开关拓扑、CCM PFC 以及 PWM。
 

特性 Features

• 极低的 R on x Q g 品质因数
• 极低的栅极电荷
• 极端 dv/dt 额定值
• 极低的 R DS(on),超低的栅极电压,极快速开关
• V th 为 3 V,g fs 极高,内部 R g 非常低
• 高电流能力
• 显著减少传导和开关损耗
• 高功率密度和效率,实现更高功率转换系统
• 出色性价/性能比

优势:

应用 Application

• 太阳能
• 服务器
• 通信
• 消费品
• 适配器
• 计算机电源

技术参数

  • 制造商编号

    :IPI50R299CP

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Package 

    :I2PAK (TO-262)

  • VDS max

    :500.0V

  • RDS (on) max

    :299.0mΩ

  • Polarity 

    :N

  • ID  max

    :12.0A

  • Ptot max

    :104.0W

  • IDpuls max

    :26.0A

  • VGS(th) min max

    :2.5V 3.5V

  • QG 

    :23.0nC 

  • Rth 

    :1.2K/W 

  • RthJC max

    :1.2K/W

  • RthJA max

    :62.0K/W

  • Operating Temperature min

    :-55.0°C 

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon Technologies
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