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IPI26CN10N G中文资料MOSFET N-CH 100V 35A TO262-3数据手册Infineon规格书
技术参数
- 制造商编号
：IPI26CN10N G
- 生产厂家
：Infineon
- 技术
：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）
：100V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
：35A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
：10V
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
：26 毫欧 @ 35A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
：4V @ 39µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
：31nC @ 10V
- Vgs（最大值）
：±20V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
：2070pF @ 50V
- FET 功能
：-
- 功率耗散（最大值）
：71W（Tc）
- 工作温度
：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型
：通孔
- 供应商器件封装
：PG-TO262-3
- 封装/外壳
：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 |
10+ |
TO-220 |
10000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
INFINEO |
10+ |
TO-262 |
6000 |
绝对原装自己现货 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
TO-262 |
25000 |
英飞凌MOS管全系列在售,终端可供样品 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
INF |
23+ |
TO-262 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-220 |
11220 |
英飞凌优势原装IC,高效BOM配单。 |
询价 | ||
INF |
23+ |
TO-262 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
PG-TO262-3-1 |
8866 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
22+ |
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 |
