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IPI12CNE8N G	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 85V 67A TO262-3	Infineon 英飞凌	Infineon
IPI12CNE8NG	文件：552.12 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated 文件：552.12 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPI12CNE8NG	文件：558.34 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2 Power-Transistor 文件：558.34 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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技术参数

技术：
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：
85V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
67A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
12.6 毫欧 @ 67A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
4V @ 83µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：
64nC @ 10V
Vgs（最大值）：
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
4340pF @ 40V
功率耗散（最大值）：
125W（Tc）
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
供应商器件封装：
PG-TO262-3
封装/外壳：
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	IPI12CNE8NG	INFINEON	24+	I2PAK(TO-262)	8866		询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	IPI12CNE8NG	INFINEON	23+	TO-262-3	5000	原装正品,假一罚十	询价
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更多IPI12CNE8N G供应商更新时间2025-12-13 16:30:00

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