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IPI120N08S4-03	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-650V汽车级MOSFET • N 通道 - 增强模式\n• AEC 101 认证\n• MSL1 峰值回流温度高达 260°C\n• 175°C 的工作温度\n• 环保产品（符合 RoHS ）\n• 100% 经过雪崩测试\n\n 仿真/ SPICE-型号\n\n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPI120N08S4-03	文件：231.6 Kbytes Page：9 Pages	N-channel - Enhancement mode 文件：231.6 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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技术参数

VDS max：
80.0V
ID max：
120.0A
RDS (on)(@10V) max：
2.5mΩ
QG(typical) ：
167.0nC
VGS(th) min max：
2.0V 4.0V

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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天津市博通航睿技术有限公司	IPI120N08S4-03	INFINEON	23+	PG-TO262-3	7000		询价

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