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IPB070N06LG

OptiMOS짰Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

IPB070N06NG

OptiMOS짰Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

IPP070N06LG

OptiMOS짰Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

IPP070N06NG

OptiMOS짰Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

NVLJWS070N06CL

MOSFET-Power,SingleN-Channel60V,62m,11A

Features •SmallFootprintforCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •WettableFlankOptionforEnhancedOpticalInspection •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NVLJWS070N06CLTAG

MOSFET-Power,SingleN-Channel60V,62m,11A

Features •SmallFootprintforCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •WettableFlankOptionforEnhancedOpticalInspection •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

详细参数

  • 型号:

    IPI070N06N

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    OptiMOS™

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Infineon
23+
TOTO-220-3
12300
全新原装真实库存含13点增值税票!
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INFINEON/英飞凌
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10000
公司只做原装正品
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TO220-3
6000
十年配单,只做原装
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TO220-3
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原装正品,支持实单
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90559
终端免费提供样品 可开13%增值税发票
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TO220-3
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25000
只做原装进口现货,专注配单
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INFINEON
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I2PAK(TO-262)
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更多IPI070N06N供应商 更新时间2024-6-23 15:30:00