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IPG20N06S4L-11A	文件：293.14 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode 文件：293.14 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPG20N06S4L-11A_15	文件：293.14 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode 文件：293.14 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPG20N06S4L-11A	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-650V汽车级MOSFET • 双 N 通道逻辑电平 - 增强模式\n• AEC 101 认证\n• MSL1 峰值回流温度高达 260°C\n• 175°C 的工作温度\n• 环保产品（符合 RoHS ）\n• 100% 经过雪崩测试\n• 可用于自动光学检查（AOI）\n\n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPG20N06S4L-11	文件：162.99 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T2 Power-Transistor 文件：162.99 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IPG20N06S4L11AATMA1
Qualification：
Automotive
Package name：
dual SS08 (PG-TDSON-8)
VDS max：
60 V
RDS (on) @10V max：
11.2 mΩ
ID @25°C max：
20 A
QG typ @10V：
41 nC
Polarity：
N+N
VGS(th) min：
1.2 V
VGS(th) max：
2.2 V
Technology：
OptiMOS™-T2

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更多IPG20N06S4L-11A供应商更新时间2025-10-10 14:40:00

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