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IPG20N04S4L-18A	文件：519.34 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS™-T2 Power-Transistor Features •DualN-channelLogicLevel-Enhancementmode •AECQ101qualified •MSL1upto260°Cpeakreflow •175°Coperatingtemperature •GreenProduct(RoHScompliant) •100Avalanchetested •Automaticopticalinspection(AOI)capable	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IPG20N04S4L-18A

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OptiMOS™-T2 Power-Transistor

Features •DualN-channelLogicLevel-Enhancementmode •AECQ101qualified •MSL1upto260°Cpeakreflow •175°Coperatingtemperature •GreenProduct(RoHScompliant) •100Avalanchetested •Automaticopticalinspection(AOI)capable

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

IPG20N04S4L-18A

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OptiMOS™-T2 Power-Transistor;

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

IPG20N04S4L-18

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OptiMOS™-T2Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

技术参数

OPN：
IPG20N04S4L18AATMA1
Qualification：
Automotive
Package name：
PG-TDSON-8
VDS max：
40 V
Polarity：
N
Operating Temperature max：
175 °C
VGS(th) min：
1.2 V
VGS(th) max：
2.2 V
Technology：
OptiMOS™-T2

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深圳市天卓伟业电子有限公司	IPG20N04S4L-18A	英飞凌	24+	TDSON-8	5000	全新、原装	询价
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