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IPDQ60R055CFD7数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IPDQ60R055CFD7

功能描述

英飞凌对谐振高功率拓扑的回答

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-17 23:00:00

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IPDQ60R055CFD7规格书详情

描述 Description

600 V CoolMOS ™ CFD7 是英飞凌最新的高压超结 MOSFET 技术,集成了快速体二极管,完善了 CoolMOS ™ 7 系列。CoolMOS ™ CFD7 具有更低的栅极电荷 (Qg)、更好的关断行为和与竞争产品相比高达 69% 的反向恢复电荷 (Qrr),以及市场上最低的反向恢复时间 (trr)。

特性 Features

• 超快体二极管
• 一流的反向恢复电荷 (Qrr)
• 改进的反向二极管 dv/dt 和 dif/dt 耐用性
• 最低 FOM RDS(on)x Qg 和 Eoss
• 一流的 RDS(on)/封装组合

技术参数

  • 制造商编号

    :IPDQ60R055CFD7

  • 生产厂家

    :Infineon

  • IDpulsmax

    :129 A

  • Ptotmax

    :266 W

  • QG

    :67 nC

  • QG(typ @10V)

    :67 nC

  • RDS (on)max

    :55 mΩ

  • RDS (on)(@10V) max

    :55 mΩ

  • VDSmax

    :600 V

  • VGS(th)

    :4 V

  • Mounting

    :SMT

  • Package

    :Q-DPAK

  • Operating Temperature

    :-55 °C to 150 °C

  • Polarity

    :N

  • Budgetary Price €/1k

    :2.85

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