丝印：60R055F7；Package：PG-HDSOP-22；MOSFET 600V CoolMOSª CFD7 Power Transistor

Features • Ultra-fast body diode • Low gate charge • Best-in-class reverse recovery charge (Qrr) • Improved MOSFET reverse diode dv/dt and diF/dt ruggedness • Lowest FOM RDS(on)*Qg and RDS(on)*Eoss • Best-in-class RDS(on) in SMD and THD packages Benefits • Excellent hard commutation rugg

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英飞凌对谐振高功率拓扑的回答

600 V CoolMOS ™ CFD7 是英飞凌最新的高压超结 MOSFET 技术，集成了快速体二极管，完善了 CoolMOS ™ 7 系列。CoolMOS ™ CFD7 具有更低的栅极电荷 (Qg)、更好的关断行为和与竞争产品相比高达 69% 的反向恢复电荷 (Qrr)，以及市场上最低的反向恢复时间 (trr)。 • 超快体二极管\n• 一流的反向恢复电荷 (Qrr)\n• 改进的反向二极管 dv/dt 和 dif/dt 耐用性\n• 最低 FOM RDS(on)x Qg 和 Eoss\n• 一流的 RDS(on)/封装组合;

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600V CoolMOS짧 CFD7 Power Transistor

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600V CoolMOSª CFD7 Power Transistor

Features • Ultra-fast body diode • Low gate charge • Best-in-class reverse recovery charge (Qrr) • Improved MOSFET reverse diode dv/dt and diF/dt ruggedness • Lowest FOM RDS(on)*Qg and RDS(on)*Eoss • Best-in-class RDS(on) in SMD and THD packages

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