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IPDQ60R022S7数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

厂商型号 |
IPDQ60R022S7 |
参数属性 | IPDQ60R022S7 包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22 |
功能描述 | Infineon’s low RDS(on) 600V SJ MOSFET in the efficient top-side- cooled QDPAK package, ideal for low-frequency switching applications and solid-state solutions |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-7 18:07:00 |
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IPDQ60R022S7规格书详情
特性 Features
优势:
• Minimizes conduction losses
• Increases energy efficiency
• More compact and easier designs
• Eliminates or reduces heat sinks in solid-state design
• Lower TCO cost or BOM cost
应用 Application
• SMPS
• Solar energy systems
• Battery and equipment protection
• Solid state relays (SSR) and solid state circuit breakers (SSCB)
• Indoor commercial lighting control
• UPS
• Low speed electric vehicles (LSEV)
• Programmable logic controllers (PLC)
• Room air conditioning
简介
IPDQ60R022S7属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的IPDQ60R022S7晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
技术参数
更多- 产品编号:
IPDQ60R022S7XTMA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 描述:
HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon |
23+ |
PG-HDSOP-22 |
15500 |
英飞凌优势渠道全系列在售 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
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询价 | ||
Infineon |
24+ |
PG-HDSOP-22 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
Infineon |
366 |
只做正品 |
询价 | ||||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
7350 |
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INFINEON |
24+ |
con |
35960 |
查现货到京北通宇商城 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
2025 |
4500 |
全新、原装 |
询价 | |||
英飞凌 |
24+ |
HDSOP-22 |
5000 |
全新、原装 |
询价 |