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IPDQ60R022S7数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

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厂商型号

IPDQ60R022S7

参数属性

IPDQ60R022S7 包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22

功能描述

Infineon’s low RDS(on) 600V SJ MOSFET in the efficient top-side- cooled QDPAK package, ideal for low-frequency switching applications and solid-state solutions
HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 18:07:00

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IPDQ60R022S7规格书详情

特性 Features


优势:
• Minimizes conduction losses
• Increases energy efficiency
• More compact and easier designs
• Eliminates or reduces heat sinks in solid-state design
• Lower TCO cost or BOM cost

应用 Application

• SMPS
• Solar energy systems
• Battery and equipment protection
• Solid state relays (SSR) and solid state circuit breakers (SSCB)
• Indoor commercial lighting control
• UPS
• Low speed electric vehicles (LSEV)
• Programmable logic controllers (PLC)
• Room air conditioning

简介

IPDQ60R022S7属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的IPDQ60R022S7晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    IPDQ60R022S7XTMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 描述:

    HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon
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