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IPD70P04P4-09	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-650V汽车级MOSFET • P-channel - Normal Level - Enhancement mode\n• AEC qualified\n• MSL1 up to 260°C peak reflow\n• 175°C operating temperature\n• Green package (RoHS compliant)\n• 100% Avalanche tested\n\n优势:\n• No charge pump required for high side drive.\n• Simple interface drive circuit\n• World's lowest RDSo;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD70P04P4-09	文件：138.38 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-P2 Power-Transistor 文件：138.38 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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技术参数

OPN：
IPD70P04P409ATMA2
Qualification：
Automotive
Package name：
DPAK (PG-TO252-3)
VDS max：
-40 V
RDS (on) @10V max：
8.9 mΩ
ID @25°C max：
-73 A
QG typ @10V：
54 nC
Polarity：
P
VGS(th) min：
-2 V
VGS(th) max：
-4 V
Technology：
OptiMOS™-P2

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