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IPD70N10S3L-12	文件：186.94 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T Power-Transistor 文件：186.94 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD70N10S3-12	文件：300 bytes Page：1 Pages	100 V、N沟道、最大11.1 mΩ、汽车MOSFET、DPAK、OptiMOS ™ -T • N-channel - Enhancement mode\n • Automotive AEC Q101 qualified\n • MSL1 up to 260°C peak reflow\n • 175°C operating temperature\n • Green product (RoHS compliant)\n • 100% Avalanche tested\n\n优势:\n• highest current capability 180A\n • low switching and conduction power losses for high thermal ;	Infineon 英飞凌	Infineon
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更多IPD70N10S3供应商更新时间2025-11-23 9:01:00