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IPD60R600PFD7S	文件：953.3 Kbytes Page：14 Pages	丝印：60S600D7；Package：PG-TO252-3；600V CoolMOSª PFD7 SJ Power Device Features • Extremely low losses due to very low FOM RDS(on)Qg and RDS(on)Eoss • Low switching losses Eoss, excellent thermal behavior • Fast body diode • Wide range portfolio of RDS(on) and package variations • Integrated zener diode 文件：953.3 Kbytes 页数：14 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPD60R600PFD7S	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 TO-252 DPAK 封装的 600V CoolMOS ™ PFD7 超结 MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon
IPLK60R600PFD7	文件：1.37864 Mbytes Page：14 Pages	600V CoolMOS짧 PFD7 SJ Power Device 文件：1.37864 Mbytes 页数：14 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPN60R600PFD7S	文件：1.08407 Mbytes Page：14 Pages	600V CoolMOS짧 PFD7 SJ Power Device 文件：1.08407 Mbytes 页数：14 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPS60R600PFD7S	文件：642.71 Kbytes Page：14 Pages	600V CoolMOS짧 PFD7 SJ Power Device 文件：642.71 Kbytes 页数：14 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

OPN：
IPD60R600PFD7SAUMA1
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
PG-TO252-3
VDS max：
600 V
RDS (on) @10V max：
600 mΩ
ID @25°C max：
6 A
QG typ @10V：
8.5 nC
Special Features：
price/performance
Polarity：
N
Operating Temperature min：
-40 °C
Operating Temperature max：
150 °C
VGS(th) min：
3.5 V
VGS(th) max：
4.5 V
VGS(th)：
4 V
Technology：
CoolMOS™ PFD7

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