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IPD60R600P6
厂商型号

IPD60R600P6

功能描述

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

文件大小

2.85536 Mbytes

页面数量

19

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

INFINEON英飞凌

中文名称

英飞凌科技股份公司官网

原厂标识
INFINEON
数据手册

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更新时间

2025-8-1 13:43:00

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IPD60R600P6规格书详情

600V CoolMOS™ P6 Power Transistor

Applications

   PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching stages

   for e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD&PDPTV, Lighting, Server, Telecom

   and UPS.

产品属性

  • 型号:

    IPD60R600P6

  • 功能描述:

    MOSFET 600V CoolMOS P6 MOSFET 600 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
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TO-252
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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