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IPD60R600E6中文资料无锡固电数据手册PDF规格书

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厂商型号

IPD60R600E6

功能描述

N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

335.1 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

ISC

中文名称

无锡固电

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-16 8:20:00

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IPD60R600E6规格书详情

• DESCRITION

• Fast switching

• FEATURES

• Static drain-source on-resistance:

RDS(on)≤0.6Ω

• Enhancement mode:

• 100 avalanche tested

• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

产品属性

  • 型号:

    IPD60R600E6

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 650V 7.3A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
23+
TO-252
20000
询价
Infineon Technologies
21+
PG-TO252-3
2500
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)!
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INFINEON/英飞凌
23+
TO-252
89630
当天发货全新原装现货
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Infineon/英飞凌
25
PG-TO252-3
6000
原装正品
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INFINEON/英飞凌
22+
SOT-252
100000
代理渠道/只做原装/可含税
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1519+
TO-252
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百分百原装正品现货/含16%增值税
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INFINEON/英飞凌
24+
PG-TO252
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Infineon Technologies
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原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
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TO-252
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一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
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INFINEON/英飞凌
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