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IPD60N10S4L-12	文件：300 bytes Page：1 Pages	100 V、N沟道、最大12 mΩ、汽车MOSFET、DPAK、OptiMOS ™ -T2 • N-channel - Enhancement mode\n • AEC qualified\n • MSL1 up to 260°C peak reflow\n • 175°C operating temperature\n • Green Product (RoHS compliant)\n • 100% Avalanche tested\n\n优势:\n• highest current capability 180A\n • low switching and conduction power losses for high thermal efficiency\n • r;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD60N10S4L-12	文件：136.18 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOSTM-T2 Power-Transistor 文件：136.18 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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更多IPD60N10S4L-12供应商更新时间2025-10-6 13:01:00