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IPD50R3K0CE	文件：1.64473 Mbytes Page：14 Pages	500V CoolMOS짧 CE Power Transistor 500V CoolMOS™ CE Power MOSFET The CoolMOS™ CE is a new technology platform of Infineon’s market leading high voltage power MOSFETs designed according to the revolutionary superjunction (SJ) principle. 500V CE portfolio provides all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing eas 文件：1.64473 Mbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD50R3K0CE	文件：1.16499 Mbytes Page：2 Pages	500V CoolMOS??CE Power MOSFET 500V CoolMOS™ CE Power MOSFET The CoolMOS™ CE is a new technology platform of Infineon’s market leading high voltage power MOSFETs designed according to the revolutionary superjunction (SJ) principle. 500V CE portfolio provides all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing eas 文件：1.16499 Mbytes 页数：2 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD50R3K0CE	文件：879.43 Kbytes Page：20 Pages	500V Superjunction MOSFET for Consumer and Lighting Applications 500V CoolMOS™ CE Power MOSFET The CoolMOS™ CE is a new technology platform of Infineon’s market leading high voltage power MOSFETs designed according to the revolutionary superjunction (SJ) principle. 500V CE portfolio provides all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing eas 文件：879.43 Kbytes 页数：20 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD50R3K0CE	文件：335.33 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：335.33 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPD50R3K0CE	文件：300 bytes Page：1 Pages	500V-900V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET 500V CoolMOS™ CE 是一款高性价比的平台，能够满足消费产品和照明市场中成本敏感型应用，同时仍然能满足高效率标准。该新系列具备快速开关超结 MOSFET 的所有优点，同时又不牺牲易用性，并且具有市场上出色的成本性能比。 • 减少储存在输出电容中的能量 (Eoss)\n• 体二极管耐久性良好\n• 减少反向恢复电荷 (Qrr)\n• 减少栅极电荷 (Qg)\n\n优势:\n• 易于控制开关行为\n• 与之前的几代 CoolMOS™ 相比，具有更高的轻载效率\n• 与标准 MOSFET 相比，成本更具吸引力\n• 杰出的 CoolMOS™ 技术质量和可靠性;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IPD50R3K0CEAUMA1
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
PG-TO252-3
VDS max：
500 V
RDS (on) @10V max：
3000 mΩ
ID @25°C max：
1.5 A
QG typ @10V：
4.3 nC
Special Features：
price/performance
Polarity：
N
Operating Temperature min：
-55 °C
VGS(th) min：
2.5 V
VGS(th) max：
3.5 V
Technology：
CoolMOS™ CE

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更多IPD50R3K0CE供应商更新时间2025-10-10 16:12:00

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