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| 零件编号 | 下载&订购 | 功能描述 | 制造商&上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
OptiMOS-T Power-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | Infineon |
详细参数
- 型号：
IPD30N06S3L
- 功能描述：
MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 30A 20mOhms
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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更新时间2024-5-23 15:30:00
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