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IPD26N06S2L-35	文件：154.84 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：154.84 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD26N06S2L-35	文件：988.83 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET 文件：988.83 Kbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
IPD26N06S2L-35	文件：300 bytes Page：1 Pages	55 V、N 沟道、最大 35 mΩ、汽车 MOSFET、DPAK、OptiMOS ™ • N-channel - Enhancement mode\n • Automotive AEC Q101 qualified\n • MSL1 up to 260°C peak reflow\n • 175°C operating temperature\n • Green package (lead free)\n • Ultra low Rds(on)\n • 100% Avalanche tested\n\n优势:\n• world's lowest RDS at 55V (on) in planar technology\n • highest;	Infineon 英飞凌	Infineon
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更多IPD26N06S2L供应商更新时间2025-11-21 13:01:00