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IPD135N08N3 G	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道功率 MOSFET OptiMOS™ 系列是高效率解决方案的市场领导者，适用于发电（例如太阳能微逆变器）、电源（例如服务器和通信）以及功耗（例如电动车）领域。 • 优化直流-直流转换器技术\n• 出色的栅极电荷 x R DS(ON) 产品 (FOM)\n• 出色的耐热性\n• 双面冷却\n• 寄生电感低\n• 纤薄外形 (<0.7mm)\n• N通道，正常电平\n• 100% 经过雪崩测试\n• 无铅镀层;符合 RoHS\n\n\n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD135N08N3G	文件：360.7 Kbytes Page：9 Pages	Ideal for high frequency switching 文件：360.7 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD135N08N3G	文件：445.22 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS3 Power-Transistor 文件：445.22 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPU135N08N3G	文件：293.96 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS(TM)3 Power-Transistor 文件：293.96 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IPD135N08N3GATMA1
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
PG-TO252-3
VDS max：
80 V
RDS (on) @10V max：
13.5 mΩ
ID @25°C max：
45 A
QG typ @10V：
19 nC
Polarity：
N
Operating Temperature min：
-55 °C
Operating Temperature max：
175 °C
Technology：
OptiMOS™ 3

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更多IPD135N08N3 G供应商更新时间2025-11-9 14:16:00

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