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IPD096N08N3

N-Channel MOSFET Transistor

文件:337.15 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IPD096N08N3G

OptiMOS(TM)3 Power-Transistor

Features • Ideal for high frequency switching • Optimized technology for DC/DC converters • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • N-channel, normal level • 100 avalanche tested • Pb-free plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target applications

文件:212.85 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

IPD096N08N3G

Ideal for high frequency switching

文件:360.65 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

IPD096N08N3G_14

Ideal for high frequency switching

文件:360.65 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

IPD096N08N3 G

20V-300V N-Channel Power MOSFET

OptiMOS™ 系列是高效率解决方案的市场领导者,适用于发电(例如太阳能微逆变器)、电源(例如服务器和通信)以及功耗(例如电动车)领域。 • 优化直流-直流转换器技术\n• 出色的栅极电荷 x R DS(ON) 产品 (FOM)\n• 出色的耐热性\n• 双面冷却\n• 寄生电感低\n• 纤薄外形 (<0.7mm)\n• N通道,正常电平\n• 100% 经过雪崩测试\n• 无铅镀层;符合 RoHS\n\n\n优势:;

Infineon

英飞凌

技术参数

  • OPN:

    IPD096N08N3GATMA1

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    PG-TO252-3

  • VDS max:

    80 V

  • RDS (on) @10V max:

    9.6 mΩ

  • ID @25°C max:

    73 A

  • QG typ @10V:

    26 nC

  • Polarity:

    N

  • Operating Temperature min:

    -55 °C

  • Operating Temperature max:

    175 °C

  • Technology:

    OptiMOS™ 3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON/英飞凌
25+
PG-TO252-3
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INFINEON/英飞凌原装特价IPD096N08N3即刻询购立享优惠#长期有货
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7000
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INFINEON/英飞凌
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TO252-3
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更多IPD096N08N3供应商 更新时间2025-12-12 20:04:00