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IIPD068N10N3

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

IPD068N10N3

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

IPD068N10N3G

N-channel,normallevel

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

IPD068N10N3G

100VN-ChannelMOSFET

Features •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousrectification •(VGS=10V) •VDS(V)=100V •ID=90A •RDS(ON)

UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司(简称UMW?)

IPD068N10N3G

OptiMOS3Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

详细参数

  • 型号:

    IPD068N10N3 G

  • 功能描述:

    MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IPD068N10N3 G供应商 更新时间2024-6-17 13:57:00