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IPD075N03L	文件：334.54 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor • DESCRITION • Fast switching • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤7.5mΩ • Enhancement mode: • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation 文件：334.54 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPD075N03L	文件：554.59 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：554.59 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD075N03LG	文件：1.19502 Mbytes Page：12 Pages	OptiMOS3 Power-Transistor 文件：1.19502 Mbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD075N03LG	文件：554.59 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：554.59 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD075N03L-G	文件：1.19502 Mbytes Page：12 Pages	OptiMOS3 Power-Transistor 文件：1.19502 Mbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD075N03L-G	文件：554.59 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：554.59 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD075N03LG_10	文件：1.19502 Mbytes Page：12 Pages	OptiMOS3 Power-Transistor 文件：1.19502 Mbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD075N03L	文件：300 bytes Page：1 Pages	OptiMOS Power-Transistor	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD075N03L G	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-300V N-Channel Power MOSFET 极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS™ 25V 成为要求较高的服务器、数据通信和通信电压调节器解决方案的最佳选择。OptiMOS™ 30V 产品专为满足笔记本电脑的电源管理需求而量身定制，可改善电磁干扰行为，以及延长电池寿命。可用于半桥配置（功率级 5x6） • 极低的栅极和输出电荷\n• 极低的导通状态电阻，小体积封装\n• 设计导入容易\n\n优势:\n• 延长电池寿命\n• 改进 EMI 表现，无需外部缓冲器网络\n• 节省成本\n• 节约空间 \n• 减少功率损耗;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IPD075N03LGATMA1
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
DPAK (TO-252) (PG-TO252-3)
VDS max：
30 V
RDS (on) @10V max：
7.5 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
11.4 mΩ
ID @25°C max：
50 A
QG typ @10V：
18 nC
QG typ @4.5V：
8.7 nC
Polarity：
N
Operating Temperature min：
-55 °C
Operating Temperature max：
175 °C
VGS(th) min：
1 V
VGS(th) max：
2.2 V
Technology：
OptiMOS™ 3

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深圳市英科美电子有限公司	IPD075N03L	INFINEON/英飞凌	24+	SOT-252	17344	原装进口假一罚十	询价
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更多IPD075N03L供应商更新时间2025-10-5 14:03:00

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