N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

丝印：040N03F2；Package：PG-TO252-3；MOSFET StrongIRFET™ 2 Power‑Transistor, 30 V

Features • Optimized for a wide range of applications • N‑channel, logic level • 100% avalanche tested • 175°C rated • Pb‑free lead plating; RoHS compliant • Halogen‑free according to IEC61249‑2‑21

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Infineon

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OptiMOS3 Power-Transistor

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Infineon

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OptiMOS3 Power-Transistor

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Infineon

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OptiMOS3 Power-Transistor

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N 沟道功率 MOSFET

极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS™ 25V 成为要求较高的服务器、数据通信和通信电压调节器解决方案的最佳选择。OptiMOS™ 30V 产品专为满足笔记本电脑的电源管理需求而量身定制，可改善电磁干扰行为，以及延长电池寿命。可用于半桥配置（功率级 5x6） • 极低的栅极和输出电荷\n• 极低的导通状态电阻，小体积封装\n• 设计导入容易\n\n优势:\n• 延长电池寿命\n• 改进 EMI 表现，无需外部缓冲器网络\n• 节省成本\n• 节约空间 \n• 减少功率损耗;

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StrongIRFET ™ 2 功率 MOSFET 30 V，采用 DPAK 封装

StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V in DPAK package • General purpose products\n• Excellent robustness\n• Superior price/performance ratio\n• Broad availability at distributors\n• Standard packages and pin-out\n• High manufacturing & supply standards\n\n优势:\n• Addresses a wide range of applications\n• Reliable performance\n• High quality and competit;

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