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IPC80N04S4-03	文件：202.02 Kbytes Page：9 Pages	N-channel - Enhancement mode 文件：202.02 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPC80N04S4-03	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-650V汽车级MOSFET • N 通道 - 增强模式\n• AEC 认证\n• MSL1 峰值回流温度高达 260°C\n• 环保产品（符合 RoHS）\n• 100% 经过雪崩测试\n• 可用于自动光学检查（AOI）\n\n 仿真/ SPICE-型号\n\n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPC80N04S4-03_15	文件：202.02 Kbytes Page：9 Pages	N-channel - Enhancement mode 文件：202.02 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPI80N04S4-03	文件：164.56 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T2 Power-Transistor 文件：164.56 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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技术参数

RDS (on)(@10V) max：
3.3mΩ
QG(typical) ：
55.0nC
VDS max：
40.0V
ID max：
80.0A
RthJC max：
1.5K/W
Ptot max：
100.0W
IDpuls max：
320.0A
VGS(th) min max：
2.0V 4.0V

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更多IPC80N04S4-03供应商更新时间2024-2-29 11:17:00

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