Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

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OptiMOSTM3 Power MOS Transistor Chip

DESCRIPTION • N-channel enhancement mode • For additional characteristic and max ratings refer to the datasheet of IPP048N12N3 G 1) • AQL 0.65 for visual inspection according to failure catalogue • Electrostatic Discharge Sensitive Device according to MIL-STD 883C • Die bond: soldered or glue

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Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

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20V-300V N-Channel Power MOSFET

英飞凌的 OptiMOS ™100V、120V 和150V 系列导通电阻 (R DS (on))极低，具有极快的开关性能，可为各种工业和消费类应用提供出色的性能。从高电流电机控制应用到快速开关 DC-DC 转换器或 D 类音频放大器，英飞凌的产品性能卓越，效率极高，空间要求极小。 • 出色的开关性能\n• 出色的R DS（on）和FOM\n• 极低的 Qg和 Q gd\n\n优势:\n• 提高效率\n• 极高的功率密度\n• 减少并联\n• 极低的板空间消耗\n• 产品易于设计\n• 环保;

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适用于工业和消费应用的功率 MOSFET 裸片产品

英飞凌的 OptiMOS ™100V、120V 和150V 系列导通电阻 (R DS (on))极低，具有极快的开关性能，可为各种工业和消费类应用提供出色的性能。从高电流电机控制应用到快速开关 DC-DC 转换器或 D 类音频放大器，英飞凌的产品性能卓越，效率极高，空间要求极小。 • 出色的开关性能\n• 出色的R DS（on）和FOM\n• 极低的 Qg和 Q gd\n\n优势:\n• 提高效率\n• 极高的功率密度\n• 减少并联\n• 极低的板空间消耗\n• 产品易于设计\n• 环保;

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