IPC022N03L3

20V-300V N-Channel Power MOSFET; • 同类中较为出色的导通电阻\n• 由于低品质因数 Ronx Qg和 Ronx Qgd，实现了基准开关性能\n• 低栅极电阻\n• 出色的 5V 栅极驱动性能\n• 基于集成阻尼网络的优化电磁干扰行为\n• 超级阻隔二极管可将效率提高 2% 以上\n\n优势:\n• 通过减少多相转换器中的相数来节约整体系统成本\n• 高效率\n• 采用 S3O8 和 CanPAK™，具有小尺寸和高功率密度\n• 设计导入容易\n• 可以从 5V 系统轨道驱动，实现出色的性能\n;

英飞凌凭借全新的 OptiMOS™ 30V 产品系列，为分离功率 MOSFET设定了功率密度和能源效率的新标准。OptiMOS™ 30V 产品专为满足笔记本电脑的电源管理需求而量身定制，可改善电磁干扰行为，从而延长电池寿命\n

IPC022N03L3

N-channel enhancement mode

IPC100N04S5-1R2

INFINEON

IPC100N04S5-1R9

INFINEON/英飞凌
TDSON-8

INFINEON/英飞凌

IPC100N04S51R9ATMA1

INFINEON
PG-TDSON-8