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IPBE65R115CFD7A	文件：300 bytes Page：1 Pages	650V CoolMOS ™ N沟道汽车SJ功率MOSFET CFD7A \n优势:\n• 在满足汽车寿命要求方面具有行业最高可靠性\n• 实现更高功率密度设计\n• 可扩展设计用于 PFC 和 DC-DC 级\n• 提供丰富的产品组合;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPBE65R115CFD7A	文件：1.40356 Mbytes Page：14 Pages	丝印：65A115F7；Package：PG-TO263-7-11；MOSFET 650V CoolMOS짧 CFD7A SJ Power Device 文件：1.40356 Mbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPL65R115CFD7	文件：1.40235 Mbytes Page：14 Pages	650VCoolMOSªCFD7SJPowerDevice Features •Ultra-fastbodydiode •650Vbreakdownvoltage •Best-in-classRDS(on) •Reducedswitchinglosses •LowRDS(on)dependencyovertemperature Benefits •Excellenthardcommutationruggedness •Extrasafetymarginfordesignswithincreasedbusvoltage •Enablingincreasedpowerdensitysolutions •Outstandingli 文件：1.40235 Mbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPL65R115CFD7	文件：1.40356 Mbytes Page：14 Pages	650V CoolMOS짧 CFD7 SJ Power Device The latest 650 V CoolMOS™ CFD7 extends the voltage class offering of the CFD7 family and is a successor to the 650 V CoolMOS™ CFD2. Resulting from improved switching performance and excellent thermal behavior, 650 V CooMOS™ CFD7 offers highest efficiency in resonant switching topologies, such 文件：1.40356 Mbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPP65R115CFD7A	文件：1.74569 Mbytes Page：14 Pages	MOSFET 650V CoolMOS짧 CFD7A SJ Power Device 文件：1.74569 Mbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IPBE65R115CFD7AATMA1
Qualification：
Automotive
Package name：
PG-TO263-7
VDS max：
650 V
RDS (on) @10V max：
115 mΩ
ID @25°C max：
21 A
QG typ @10V：
41 nC
Polarity：
N
Operating Temperature min：
-40 °C
Operating Temperature max：
150 °C
VGS(th) min：
3.5 V
VGS(th) max：
4.5 V
VGS(th)：
4 V
Technology：
CoolMOS™ CFD7A

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