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IPB80N03S4L-03	文件：193.45 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T2 Power-Transistor 文件：193.45 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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IPB80N03S4L-03	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-650V汽车级MOSFET • N-channel - Enhancement mode\n • Automotive AEC Q101 qualified\n • MSL1 up to 260°C peak reflow\n • 175°C operating temperature\n • Green product (RoHS compliant)\n • 100% Avalanche tested\n\n优势:\n• world's lowest RDS at 30V (on)\n • highest current capability\n • lowest switching and conducti;	Infineon 英飞凌	Infineon
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技术参数

OPN：
IPB80N03S4L03ATMA1
Qualification：
Automotive
Package name：
D2PAK (PG-TO263-3)
VDS max：
30 V
RDS (on) @10V max：
3.4 mΩ
ID @25°C max：
80 A
QG typ @10V：
60 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
1 V
VGS(th) max：
2.2 V
Technology：
OptiMOS™-T2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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