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IPB70N10SL-16	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-650V汽车级MOSFET • N-Channel\n • Enhancement mode\n • Logic Level\n • 175°C operating temperature\n • Avalanche rated\n • dv/dt rated\n • Green Package (lead free)\n\n优势:\n• low RDS (on) in trench technology - down to 4.8 mOhm\n • highest current capability 180A\n • low switching and conduction power losses for hig;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB70N10SL-16	文件：125.42 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Power-Transistor 文件：125.42 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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技术参数

RDS (on)(@10V) max：
16.0mΩ
RDS (on) max：
16.0mΩ
RDS (on)(@4.5V LL) max：
25.0mΩ
QG(typical) ：
160.0nC
VDS max：
100.0V
ID max：
70.0A
RthJC max：
0.6K/W
Ptot max：
250.0W
IDpuls max：
280.0A
VGS(th) min max：
1.2V 2.0V

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