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IPB65R310CFD	文件：6.65181 Mbytes Page：20 Pages	650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor 650VCoolMOSC6CFDAPowerTransistor Applications 650VCoolMOSCFDisespeciallysuitableforresonantswitchingPWM stagesfore.g.PCSilverbox,LCDTV,Lighting,ServerandTelecom	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
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IPB65R310CFD	文件：189.57 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor •FEATURES •WithTo-263(D2PAK)package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IPB65R310CFDA	文件：1.7849 Mbytes Page：15 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 650VCoolMOSCFDAPowerTransistor Applications 650VCoolMOSCFDAisdesignedforswitchingapplications.	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IIPP65R310CFD	文件：338.66 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IIPW65R310CFD	文件：335.05 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
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IPA65R310CFD	文件：267.66 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IPI65R310CFD	文件：331.12 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
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IPP65R310CFDA	文件：1.7849 Mbytes Page：15 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor 650VCoolMOSCFDAPowerTransistor Applications 650VCoolMOSCFDAisdesignedforswitchingapplications.	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
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详细参数

型号：
IPB65R310CFD
功能描述：
MOSFET CoolMOS 650V 310mOhm CFD2 N-Chan MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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