650V CoolMOS ™ N沟道汽车SJ功率MOSFET CFD7A

采用 D2PAK 3 引脚封装的 145 mOhm IPB65R145CFD7A 属于汽车级 650V CoolMOS ™ SJ 功率 MOSFET CFD7A 产品系列的一部分。与上一代产品相比，CoolMOS ™ CFD7A 具有更高的可靠性和功率密度，同时提高了设计灵活性。 • CoolMOS ™ 7 系列\n• 低存储能量 COSS\n• 汽车认证\n• 自 1998 年以来的 CoolMOS ™;

Infineon

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丝印：65A145F7；Package：PG-TO263-3；650V CoolMOS짧 CFD7A SJ Power Device

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INFINEON

英飞凌

650V CoolMOSª CFD7A SJ Power Device

Features • Latest 650V automotive qualified technology with integrated fast body diode on the market featuring ultra low Qrr • Lowest FOM RDS(on)*Qg and RDS(on)*Eoss • 100 avalanche tested • Kelvin source contact available • Best-in-class RDS(on) in SMD and THD packages

文件：1.4141 Mbytes 页数：14 Pages

INFINEON

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N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= 17A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 650V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 145mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · Unidirectional · Bidirectional DC-DC converters · On-Board battery Chargers

文件：398.79 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

650V CoolMOS짧 CFD7A SJ Power Device

文件：1.73748 Mbytes 页数：14 Pages

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