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IPB65R065C7

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

文件:1.80562 Mbytes 页数:15 Pages

Infineon

英飞凌

IPB65R065C7

丝印:D2PAK;Package:TO-263;Isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:189.35 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IPB65R065C7

500 V-950 V CoolMOS™ N 沟道功率 MOSFET

英飞凌的 CoolMOS™ C7 超结 MOSFET 系列是技术的一次突破性进步,在全球范围内实现了低 RDS(on)/封装,并且得益于其低开关损耗,可在全负载范围内提高效率。 • 650V 电压\n• 具有突破性且出色的R DS(on)/封装\n• 减少储存在输出电容中的能量 (Eoss)\n• 低栅极电荷Qg\n• 通过使用更小的封装或减少零部件节省空间\n• 在超结技术领域拥有 12 年的制造经验\n\n优势:\n• 提高安全裕度,适用于 SMPS 和太阳能逆变器应用\n• 低通态损耗/小封装\n• 低开关损耗\n• 提高轻载效率\n• 增加功率密度\n• 出色的CoolMOS™质量;

Infineon

英飞凌

IPP65R065C7

N-Channel MOSFET Transistor

文件:339.17 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IPP65R065C7

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

文件:1.67654 Mbytes 页数:15 Pages

Infineon

英飞凌

IPW65R065C7

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

文件:2.01823 Mbytes 页数:15 Pages

Infineon

英飞凌

技术参数

  • OPN:

    IPB65R065C7ATMA2

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    PG-TO263-3

  • VDS max:

    650 V

  • RDS (on) @10V max:

    65 mΩ

  • ID @25°C max:

    33 A

  • QG typ @10V:

    64 nC

  • Special Features:

    highest performance

  • Polarity:

    N

  • Operating Temperature min:

    -55 °C

  • VGS(th) min:

    3 V

  • VGS(th) max:

    4 V

  • Technology:

    CoolMOS™ C7

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Infineon(英飞凌)
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TO-263
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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INFINEON/英飞凌
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Infineon(英飞凌)
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PG-TO263-3
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Infineon/英飞凌
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更多IPB65R065C7供应商 更新时间2025-12-15 13:19:00