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IPB60R105CFD7中文资料600V CoolMOS ™ CFD7 SJ MOSFET 集成快速体二极管，采用 D2PAK 封装，是谐振高功率拓扑的完美选择数据手册Infineon规格书
IPB60R105CFD7规格书详情
特性 Features
• Ultra-fast body diode
• Best-in-class reverse recoverycharge (Qrr)
• Improved reverse diode dv/dt anddif/dt ruggedness
• Lowest FOM RDS(on)x Qgand EOSS
• Best-in-class RDS(on)/packagecombinations
优势:
• Best-in-class hard commutation ruggedness
• Highest reliability for resonant topologies
• Highest efficiency with outstanding ease-of-use/performance trade-off
• Enabling increased power density solutions
应用 Application
• Server
• Telecom
• EV charging
技术参数
- 制造商编号
：IPB60R105CFD7
- 生产厂家
：Infineon
- OPN
：IPB60R105CFD7ATMA1
- Qualification
：Non-Automotive
- Package name
：PG-TO263-3
- VDS max
：600 V
- RDS (on) @10V max
：105 mΩ
- ID @25°C max
：21 A
- QG typ @10V
：42 nC
- Polarity
：N
- Operating Temperature min
：-55 °C
- Operating Temperature max
：150 °C
- VGS(th) min
：3.5 V
- VGS(th) max
：4.5 V
- VGS(th)
：4 V
- Technology
：CoolMOS™ CFD7
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INENOI |
21+ |
SOT263 |
12500 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO263 |
7850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2223+ |
TO263 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
25+ |
PG-TO263 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
PG-TO263 |
19850 |
原装正品,假一赔十 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TO263 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
Infineon |
25+ |
PG-TO263-3 |
15500 |
英飞凌优势渠道全系列在售 |
询价 | ||
INENOI |
24+ |
SOT263 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
INFINE0N |
21+ |
PG-TO263-3 |
32568 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营 |
询价 |
