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IPB530N15N3G中文资料OptiMOS™3 Power-Transistor数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPB530N15N3G

功能描述

OptiMOS™3 Power-Transistor

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-22 23:01:00

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IPB530N15N3G规格书详情

特性 Features

• N-channel, normal level
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
• Very low on-resistance R DS(on)
• 175 °C operating temperature
• Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen Free
• Qualified according to JEDEC1) for target application
• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
• Halogen-free according to IEC61249-2-21

技术参数

  • 型号:

    IPB530N15N3G

  • 制造商:

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
24+
NA/
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