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IPB60R099C6中文资料500V-900V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET数据手册Infineon规格书
IPB60R099C6规格书详情
描述 Description
CoolMOS™ C6 结合了英飞凌作为业内先进的超结MOSFET供应商的相关经验与其先进的创新技术C6 器件具备了快速开关超结 MOSFET 的所有优点,同时又不牺牲易用性。很低的开关和通态损耗使开关应用更高效,结构紧凑、重量更轻、温度更低。
• 600V CoolMOS™ C6 可替代 600V CoolMOS™ C3
• 650V CoolMOS™ C6 可替代 650V CoolMOS™ C3
特性 Features
• 易于控制开关行为
• 由于非常低的品质因数(R DS(ON)*Q g)和E oss),因此损耗极低
• 非常高的换流坚固性
• 使用简便
• 与 C3 相比,具有更高的轻载效率
• 出色的可靠性和经过实践验证的 CoolMOS™ 质量以及高密度二极管耐用性
• 与以前的 CoolMOS™ 几代产品相比,性价比更高
• 更高效、更紧凑、重量更轻、温度更低
优势:
• 提升功率密度
• 提升可靠性
• 通用部件可在软、硬开关拓扑中使用
• 提高轻载效率
• 提高在硬开关应用中的效率
• 改进了易用性
• 减轻可能因为 PCB 布局和封装寄生效应而引发的振荡
应用 Application
• 消费品
• 适配器
• 电动交通
• 服务器和通信的 PFC 阶段
• 开关电源(SMPS)
• 计算机电源
• 太阳能
• 照明
技术参数
- 制造商编号
:IPB60R099C6
- 生产厂家
:Infineon
- Package
:D2PAK (TO-263)
- VDS max
:600.0V
- RDS (on) max
:99.0mΩ
- Polarity
:N
- ID max
:38.0A
- Ptot max
:278.0W
- IDpuls max
:112.0A
- VGS(th) min max
:2.5V 3.5V
- QG
:119.0nC
- Rth
:0.45K/W
- RthJC max
:0.45K/W
- RthJA max
:62.0K/W
- Operating Temperature min
:-55.0°C
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
2450+ |
TO263 |
9850 |
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INFINEON/英飞凌 |
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TO-263 |
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INFINEON/英飞凌 |
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NA |
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INFINEON |
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TO-263 |
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Infineon/英飞凌 |
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Infineon/英飞凌 |
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INFINEON/英飞凌 |
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SOT-263 |
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INFINEON/英飞凌 |
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INFINEON |
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D2PAK(TO-263) |
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INFINEON |
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TO-263 |
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