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IPB60R040C7中文资料CoolMOS ™ C7 超结 MOSFET 在 PFC 和 LLC 拓扑中提供一流的性能数据手册Infineon规格书
IPB60R040C7规格书详情
描述 Description
600V CoolMOS™ C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS™ CP 系列可减少大约 50% 的关断损耗（E oss），在 PFC、TTF 及其他硬开关拓扑结构中可提供卓越的性能。
CoolMOS™ C7 提供的更高效率有益于效率和总体拥有成本（TCO）应用，如超数据中心和高效率电信整流器（>96%）。在 PFC 拓扑结构中，可获得 0.3% - 0.7% 的增益，在LLC拓扑结构中，可获得 0.1% 的增益。例如，如果是 2.5kW 的服务器 PSU，在 TO-247 4 针套件内采用 600V CoolMOS™ C7 超级结 MOSFET 可为 PSU 能量损耗减少大约 10% 的能源成本。
特性 Features
• 开关损耗参数减少，如 Q G、C oss、E oss
• 最佳品质因数 Q G*R DS(on)
• 开关频率增加
• 世界上最佳的 R (on)*A
• 坚固体二极管
优势:
• 可在不损失效率的情况下增加开关频率
• 为轻负载和满载效率测量显示关键参数
• 开关频率加倍会将磁性元件的尺寸减半
• 对于相同的 R DS(on)，包装更小
• 可用于硬开关和软开关拓扑结构中的更多位置
应用 Application
• 服务器
• 通信
• 计算机电源
• 太阳能
• 工业
技术参数
- 制造商编号
：IPB60R040C7
- 生产厂家
：Infineon
- OPN
：IPB60R040C7ATMA1
- Qualification
：Non-Automotive
- Package name
：PG-TO263-3
- VDS max
：600 V
- RDS (on) @10V max
：40 mΩ
- ID @25°C max
：50 A
- QG typ @10V
：107 nC
- Special Features
：highest performance
- Polarity
：N
- Operating Temperature min
：-55 °C
- Operating Temperature max
：150 °C
- VGS(th) min
：3 V
- VGS(th) max
：4 V
- Technology
：CoolMOS™ C7
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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