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IPB180N03S4L-01

30 V、N 沟道、最大 1.05 mΩ、汽车 MOSFET、D2PAK 7 引脚、OptiMOS ™ -T2

• N沟道 - 增强模式\n• 符合 AEC 要求\n• MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值\n• 工作温度为 175°C\n• 绿色产品(符合 RoHS 标准)\n• 100% Avalanche 测试\n• 超低 RDS(on)\n• 支持 PPAP 的设备;

Infineon

英飞凌

IPB180N03S4L-01

T Power-Transistor

文件:172.88 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

IPB180N04S4-01

INFINEON/英飞凌
TO263

INFINEON/英飞凌

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INFINEON/英飞凌

IPB180N04S4-H0

INFINEON
SOT263-7

Infineon

英飞凌

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IPB180N04S4H0ATMA1

INFINEON/英飞凌
TO263

INFINEON/英飞凌

上传:深圳市大联智电子有限公司

INFINEON/英飞凌

技术参数

  • IDpulsmax:

    720 A

  • Ptotmax:

    188 W

  • QG(typ @10V) max:

    187 nC

  • RDS (on)(@10V) max:

    1.05 mΩ

  • RthJCmax:

    0.8 K/W

  • VDSmax:

    30 V

  • VGS(th)min:

    1 V

  • VGS(th)max:

    2.2 V

  • Package:

    D2PAK (PG-TO263-7)

  • Operating Temperature:

    -55 °C to 175 °C

  • Technology:

    OptiMOS™-T2

  • Polarity:

    N

  • Qualification:

    Automotive

  • Budgetary Price €/1k:

    1.42

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON/英飞凌
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