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IPB120N03S4L-03	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-650V汽车级MOSFET • N 通道 - 增强模式\n• 通过汽车 AEC 101 认证\n• MSL1 峰值回流温度高达 260°C\n• 175°C 的工作温度\n• 环保封装（无铅）\n• 100% 经过雪崩测试\n\n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB120N03S4L-03	文件：283.33 Kbytes Page：9 Pages	N-channel - Enhancement mode 文件：283.33 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB120P04P4-04	文件：0 bytes Page：0 Pages	INFINEON TO263	Infineon 英飞凌上传：瀚佳科技(深圳)有限公司	Infineon
IPB160N04S4H1ATMA1	文件：0 bytes Page：0 Pages	INFINEON/英飞凌 TO-263-7	INFINEON/英飞凌上传：深圳市大联智电子有限公司	INFINEON/英飞凌
IPB180N04S4-01	文件：0 bytes Page：0 Pages	INFINEON/英飞凌 TO263	INFINEON/英飞凌上传：深圳市大联智电子有限公司	INFINEON/英飞凌

技术参数

OPN：
IPB120N03S4L03ATMA1
Package name：
D2PAK (PG-TO263-3)
VDS max：
30 V
ID @25°C max：
120 A
QG typ @10V：
55 nC
Polarity：
N
Operating Temperature max：
175 °C
VGS(th) min：
1 V
VGS(th) max：
2.2 V
Technology：
OptiMOS™-T2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IPB120N03S4L-03供应商更新时间2025-10-12 16:12:00

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