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IPB072N15N3-G	文件：424.44 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS?? Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Ideal for high-frequency switching and synchr 文件：424.44 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB072N15N3-G	文件：744.53 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS 3 Power-Transistor 文件：744.53 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB072N15N3G	文件：189.48 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：189.48 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPB072N15N3G	文件：744.54 Kbytes Page：11 Pages	3 Power-Transistor Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Ideal for high-frequency switching and synchr 文件：744.54 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB072N15N3G	文件：424.44 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS?? Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Ideal for high-frequency switching and synchr 文件：424.44 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IPB072N15N3-G
制造商：
INFINEON
制造商全称：
Infineon Technologies AG
功能描述：
OptiMOS 3 Power-Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市安富世纪电子有限公司	IPB072N15N3G(SP000386664)	INFINEON	23+		8000	只做原装现货	询价
天津市博通航睿技术有限公司	IPB072N15N3G(SP000386664)	INFINEON	23+	TO263	7000		询价
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深圳和润天下电子科技有限公司	IPB072N15N3G072N15N	INFINEON/英飞凌	22+	TO-263	89433		询价
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更多IPB072N15N3-G供应商更新时间2025-10-13 15:05:00

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