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IPB072N15N3-G	文件：424.44 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS?? Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchr	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IPB072N15N3G	文件：753.915 Kbytes Page：12 Pages		InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 PDF上传者：深圳市周芯芯半导体有限公司	Infineon
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详细参数

型号：
IPB072N15N3-G
制造商：
INFINEON
制造商全称：
Infineon Technologies AG
功能描述：
OptiMOS 3 Power-Transistor

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