N-channel, normal level

文件：1.16879 Mbytes 页数：12 Pages

INFINEON

英飞凌

丝印：D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：244.75 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

业界领先的功率 MOSFET 技术，适用于电信和服务器应用，采用 OptiMOS ™ 5 80V，采用 D2PAK 封装

OptiMOS™ 5 80V 功率 MOSFETs 专为通信和服务器电源中的同步整流而设计。此外，这些器件还可以在其他工业应用中使用，例如太阳能、低压驱动器和适配器。新型OptiMOS™ 5 80V MOSFET 采用七种不同封装，提供了行业内较低 R DS(on)。 • 针对同步整流进行优化\n• 非常适合高开关频率\n• 输出电容降低高达 44%\n• R DS(on)降低高达 44%\n\n优势:\n• 高系统效率\n• 降低开关和通态损耗\n• 减少并联\n• 增加功率密度\n• 低电压过冲;

Infineon

英飞凌

N-Channel PowerTrench® MOSFET 75 V, 235 A, 3.1 mΩ

Features • RDS(on) = 2.4 mΩ (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 75 A • Fast Switching Speed • Low Gate Charge • High Performance Trench Technology for Extremely Low RDS(on) • High Power and Current Handling Capability • RoHS Compliant Description This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild S

文件：669.94 Kbytes 页数：10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 235A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 75V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 3.1mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

文件：332.6 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 75V, 235A, 3.1m廓

Description This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s adcanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features • RDS(on) = 2.4mΩ ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 75A • Fast switc

文件：639.84 Kbytes 页数：8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体