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IPB024N08N5

业界领先的功率 MOSFET 技术,适用于电信和服务器应用,采用 OptiMOS ™ 5 80V,采用 D2PAK 封装

OptiMOS™ 5 80V 功率 MOSFETs 专为通信和服务器电源中的同步整流而设计。此外,这些器件还可以在其他工业应用中使用,例如太阳能、低压驱动器和适配器。新型OptiMOS™ 5 80V MOSFET 采用七种不同封装,提供了行业内较低 R DS(on)。 • 针对同步整流进行优化\n• 非常适合高开关频率\n• 输出电容降低高达 44%\n• R DS(on)降低高达 44%\n\n优势:\n• 高系统效率\n• 降低开关和通态损耗\n• 减少并联\n• 增加功率密度\n• 低电压过冲;

Infineon

英飞凌

IPB024N08N5

N-channel, normal level

文件:1.17064 Mbytes 页数:12 Pages

Infineon

英飞凌

IPB025N08N3G

TO-263

英飞凌/实单必成

上传:深圳市拓芯泰电子科技有限公司

英飞凌/实单必成

IPB034N06L3G

TO-263

IPB034N06L3GATMA1

原厂封装

技术参数

  • OPN:

    IPB024N08N5ATMA1

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    PG-TO263-3

  • VDS max:

    80 V

  • RDS (on) @10V max:

    2.4 mΩ

  • ID @25°C max:

    166 A

  • QG typ @10V:

    99 nC

  • Polarity:

    N

  • Operating Temperature min:

    -55 °C

  • Operating Temperature max:

    175 °C

  • Technology:

    OptiMOS™ 5

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IPB024N08N5供应商 更新时间2025-12-11 10:11:00