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IPB020N08N5	文件：300 bytes Page：1 Pages	业界领先的功率 MOSFET 技术，适用于电信和服务器应用，采用 OptiMOS ™ 5 80V，采用 D2PAK 封装 OptiMOS™ 5 80V 功率 MOSFETs 专为通信和服务器电源中的同步整流而设计。此外，这些器件还可以在其他工业应用中使用，例如太阳能、低压驱动器和适配器。新型OptiMOS™ 5 80V MOSFET 采用七种不同封装，提供了行业内较低 R DS(on)。 • 针对同步整流进行优化\n• 非常适合高开关频率\n• 输出电容降低高达 44%\n• R DS(on)降低高达 44%\n\n优势:\n• 高系统效率\n• 降低开关和通态损耗\n• 减少并联\n• 增加功率密度\n• 低电压过冲;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB020N08N5	文件：1.17649 Mbytes Page：12 Pages	N-channel, normal level 文件：1.17649 Mbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPP020N08N5	文件：1.35313 Mbytes Page：12 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 文件：1.35313 Mbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPP020N08N5	文件：1.35313 Mbytes Page：12 Pages	Ideal for high frequency switching and sync. rec 文件：1.35313 Mbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

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更多IPB020N08N5供应商更新时间2026-4-22 10:11:00