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IPB020N04N G	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道功率 MOSFET OptiMOS™ 40V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器和台式机。此外，这些器件可用于电机控制变器和快速开关直流-直流转换器等广泛工业应用。\n • 出色的栅极电荷 x R DS（on）产品（FOM）\n• 极低的导通电阻 R DS(on)\n• 快速开关应用的理想之选\n• 符合 RoHS - 无卤素\n• MSL1 评级\n\n优势:\n• 高系统效率\n• 减少所需的并联\n• 增加功率密度\n• 降低系统成本\n• 非常低的电压过冲\n \n ;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB020N04NG	文件：522.15 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS3 Power-Transistor 文件：522.15 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
TSM020N04LCR	文件：423.16 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：423.16 Kbytes 页数：6 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM020N04LCRRLG	文件：423.16 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：423.16 Kbytes 页数：6 Pages	TSC 台湾半导体	TSC

技术参数

OPN：
IPB020N04NGATMA1
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
PG-TO263-7
VDS max：
40 V
RDS (on) @10V max：
2 mΩ
ID @25°C max：
140 A
QG typ @10V：
90 nC
Special Features：
Wide SOA
Polarity：
N
Operating Temperature min：
-55 °C
Operating Temperature max：
175 °C
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
Technology：
OptiMOS™ 3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IPB020N04N供应商更新时间2025-11-18 14:14:00

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